RAM和ROM
1、RAM
RAM又称为随机访问存储器(Random-Access Memory)，其主要分为静态和动态两种。静态的RAM简写为SRAM，动态的RAM简写为DRAM。SRAM的访问速度比DRAM要快得多，因此价格也要贵得多，在应用上，SRAM主要用作高速缓存存储器，也就是CPU和主存之间的L1、L2高速缓存，DRAM一般作为计算机系统的主存。
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SRAM
SRAM将每个位存储在一个双稳态的存储器单元里，它可以无限期地保持在两个不同地电压配置或者状态下，即使有干扰扰乱电压，当干扰消除时，电路就会恢复到稳定值，它就如同一个跷跷板，总是会从一个不稳态的位置转移至稳态位置。
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DRAM
DRAM的每个位存储为对一个电容的充电，其对干扰非常敏感，当电容的电压被扰乱，其就不会恢复，因此在使用时，经常需要读出所有内存，再通过重写来刷新内存每一位。
表1总结了SRAM和DRAM存储器的特性区别。
| 每单位晶体管数 | 相对访问时间 | 是否持续 | 是否敏感 | 相对花费 | 应用 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SRAM | 6 | 1× | 是 | 否 | 1000× | 高速缓存存储器 |
| DRAM | 1 | 10× | 否 | 是 | 1× | 主存 |
2、ROM
ROM也称为只读存储器(Read-Only Memory)，是一种只能读出无法写入信息的存储器，与RAM的区别在于，ROM不能快速方便地修改存储内容，且断电后数据依然存在。不同种类的只读存储器功能不同，接下来介绍几种常见的ROM：
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可编程只读存储器(PROM)
PROM只能被编程一次，因为其每个存储器单元有一种熔丝，只能使用高电流熔断一次
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可擦写可编程存储器(EPROM)
EPROM可以进行多次编程，是一种便于用户根据需要来写入，并能把已写入的内容擦去后再改写的ROM。其存储的信息可以由用户自行加电编写，也可以利用紫外线光源或脉冲电流等方法先将原存的信息擦除，然后用写入器重新写入新的信息
存储在ROM设备中的程序通常被称为固件，当一个计算机系统通电以后，它会运行存储在ROM中的固件。一些系统也会在固件中提供少量基本的输入和输出函数，比如PC的BIOS。