Intel公布10nm芯片性能参数：比14nm提升43%
日前，Intel再次强调10nm芯片定于今年底上市，其核心指标包括“1平方毫米中塞下1亿个晶体管、鳍片间距做到34nm，最小金属间距则做到36nm”。
关于10nm的家族代号目前存在争议，因为Intel今年2月又宣布了8代酷睿，所以Cannon Lake有些人说是10nm代号，有些说是新酷睿代号，不过笔者比较倾向AnandTech的看法，也就是前者。按照Intel公布的指标，8代酷睿依然是14nm，号称历史最强，性能较Kaby Lake提升15%，那么10nm呢？
在Intel TechDay上公布的PPT显示，第一代10nm将比14nm在性能上提升25%，功耗降低45%，改良版的10nm++性能会再次提升15%，功耗再降30%，换算下来，目前Intel规划中的10nm最好的状态是比14nm性能提升43%左右。
近日公布的PPT：